嵌入式非挥发性记忆体平台助力智能卡和微处理器应用
技术简介
中芯国际拥有公认的制造能力，可以提供具有成本竞争力的嵌入式非挥发性记忆体平台，包括一次性可编程技术, 多次性可编程技术,嵌入式电可擦除只读存储器技术和嵌入式闪存技术。技术节点覆盖从0.35微米到40纳米。这些嵌入式非挥发性存储技术提供高性能，低功耗与卓越的耐久性和资料保存性能。
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Node/IP |
0.35um |
0.25um |
0.18/0.162um |
0.13um |
0.11um |
90nm |
65/55nm |
40nm |
28nm |
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eFlash |
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D |
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eEEPROM |
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MTP |
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OTP |
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eFuse |
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*D: 开发中
应用产品
中芯国际提供了完整的嵌入式非挥发性存储技术与广泛IP支持，可应用于智能卡、微处理器和物联网应用。这些工艺可提供客户制造出具有成本效益，低功耗，高可靠性的产品，和更具经济效益的解决方案。
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智能卡
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微处理器
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物联网
特殊工艺
其他工艺技术
